BIP-FETS
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BIP-FETS FET測定装置

電界効果トランジスタの特性を評価する装置です。2つのソースメータから試料にソース(VS)-ドレイン(VD)間電圧、ソース(VS)-ゲート(VG)電圧を印加します。
ドレイン電流を計測し、ID– VSD特性測定やID-VSG特性測定を行うことが出来ます。測定したデータから、移動度、しきい値電圧を算出することが出来ます。
また、ドレイン電流のオンオフ比も算出します。

 

 カタログ(PDF)

 

 

特長

 

  • 電界効果トランジスタの特性を評価する装置です。

 

  • 測定したデータから、移動度、しきい値電圧を算出することが出来ます。

 

ソフトウェア画面

 

 

仕様

 

 測定対象試料  FET(トップコンタクトなど)
 印加電圧制御  ソース-ドレイン間電圧、ソース-ゲート間電圧
 印加電圧範囲  0~±200V
 最小印加電圧  ±10µV
 印加電圧間隔  0.01/0.02/0.05/0.1/0.2/0.5/1/2/5/10V
 計測電流  ドレイン電流
 最小計測電流  ±10pA
 ソフトウェア機能

 移動度算出機能 ID– VD特性プロット、ID-VG特性プロット

 データ保存機能   テキスト保存


 

標準構成

 

●ソースメータ 2台
●試料室
●テフロン試料台
●全体架台

●プローブ 3個
●ノート型コンピュータ
●FET測定用ソフトウェア
●取扱説明書

 

 

外形寸法

 

●本体:    約W700×D600×H1150mm
     *突起部を除く*


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