BIP-FETS FET測定装置

電界効果トランジスタの特性を評価する装置です。2つのソースメータから試料にソース(VS)-ドレイン(VD)間電圧、ソース(VS)-ゲート(VG)電圧を印加します。
ドレイン電流を計測し、ID– VSD特性測定やID-VSG特性測定を行うことが出来ます。測定したデータから、移動度、しきい値電圧を算出することが出来ます。
また、ドレイン電流のオンオフ比も算出します。

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特長

  • 電界効果トランジスタの特性を評価する装置です。
  • 測定したデータから、移動度、しきい値電圧を算出することが出来ます。

ソフトウェア画面

仕様

 測定対象試料FET(トップコンタクトなど)
印加電圧制御ソース-ドレイン間電圧、ソース-ゲート間電圧
印加電圧範囲0~±200V
最小印加電圧±10µV
印加電圧間隔0.01/0.02/0.05/0.1/0.2/0.5/1/2/5/10V
計測電流ドレイン電流
最小計測電流±10pA
ソフトウェア機能移動度算出機能 ID– VD特性プロット、ID-VG特性プロット
データ保存機能テキスト保存

標準構成

  • ソースメータ 2台
  • 試料室
  • テフロン試料台
  • 全体架台
  • プローブ 3個
  • ノート型コンピュータ
  • FET測定用ソフトウェア
  • 取扱説明書

外形寸法

  • 本体:約W700×D600×H1150mm
    *突起部を除く*

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