電界効果トランジスタの特性を評価する装置です。2つのソースメータから試料にソース(VS)-ドレイン(VD)間電圧、ソース(VS)-ゲート(VG)電圧を印加します。
ドレイン電流を計測し、ID– VSD特性測定やID-VSG特性測定を行うことが出来ます。測定したデータから、移動度、しきい値電圧を算出することが出来ます。
また、ドレイン電流のオンオフ比も算出します。


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BIP-FETS FET測定装置 〉
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特長
- 電界効果トランジスタの特性を評価する装置です。
- 測定したデータから、移動度、しきい値電圧を算出することが出来ます。
ソフトウェア画面

仕様
| 測定対象試料 | FET(トップコンタクトなど) |
| 印加電圧制御 | ソース-ドレイン間電圧、ソース-ゲート間電圧 |
| 印加電圧範囲 | 0~±200V |
| 最小印加電圧 | ±10µV |
| 印加電圧間隔 | 0.01/0.02/0.05/0.1/0.2/0.5/1/2/5/10V |
| 計測電流 | ドレイン電流 |
| 最小計測電流 | ±10pA |
| ソフトウェア機能 | 移動度算出機能 ID– VD特性プロット、ID-VG特性プロット |
| データ保存機能 | テキスト保存 |
標準構成
- ソースメータ 2台
- 試料室
- テフロン試料台
- 全体架台
- プローブ 3個
- ノート型コンピュータ
- FET測定用ソフトウェア
- 取扱説明書
外形寸法
- 本体:約W700×D600×H1150mm
*突起部を除く*






