測定法

一定光電流法（CPM法）

単色光をサンプルに照射し、その光電流が各波長で一定になるように光量コントロールし、照射光量値より吸収係数を演算で求めます。

特長

• 半導体薄膜や各種光伝導材料のバンドギャップ構造を解析できます。
• 吸収係数測定範囲は６桁とダイナミックレンジが広いです。
• リアルタイムで光量を制御していますので、測定再現性に優れています。
• In-Ga-Zn-O (IGZO）などの酸化物半導体の欠陥準位評価に最適です。
• 波長範囲は500～2100nm（0.59～2.48eV）と300～1200nm（1.03～4.13eV）の2種類から選択できます。

測定手順ダイアグラム

アモルファスシリコンの測定データ（例）

試料室内部とサンプルコンタクト

仕様

測定法	一定光電流法（CPM法）
波長範囲（ハロゲンタイプ）	500～2100nm（0.59～2.48eV）
波長範囲（キセノンタイプ）	300～1200nm（1.03～4.13eV)
照射面積	10×10mm（全照射範囲約14×14mm）と6×6mmのレンズ交換式
照射面内均一性	±10％以内
光量安定性	±5％以内
照射強度可変範囲	100nW/cm2～5mW/cm2　(550nmにおいて
波長純度	約24nm（分光器スリット幅4mm）
波長精度	±0.2nm
NDフィルタ	計5枚（10%  1%  0.1%   0.01%  0.001%)
出射光	直流及び断続光　手動切換
可変チョッパ	周波数可変範囲　DC/0.1～100Hz
サンプル	サイズ　□10mm　（別途オプション試料台などにより対応可）
試料電流測定方法	試料に電流アンプを接続、その出力電圧をロックインアンプで測定
最小検出電流	100fA
吸収係数測定範囲	6桁
バイアス電源	1.5V・3V･9V・18V・27V　乾電池5本切換
試料観察部	単眼鏡・カメラ・モニタディスプレイ（視野2.0×1.5～16×12mm）

標準構成

• ハロゲンランプ400W（ハロゲンタイプの場合）
• ハロゲンランプ400W電源（ハロゲンタイプの場合）
• 光源集光光学系
• モノクロメータ
• 回折格子　600本/300nmブレーズ
• 回折格子　600本/1600nmブレーズ
• 出射光学系（連続濃度可変NDフィルタ自動）
• 周波数可変チョッパー　DC/0.1～100Hz
• 各種高次光カットフィルタ
• 試料室
• ロックインアンプ（光量モニタ用）
• ロックインアンプ（試料電流測定用）
• Siフォトダイオード検知器
• TPユニット
• 試料台・マニュアルプローバ・精密ラボジャッキ
• バイアス電源
• 単眼鏡・カメラ・モニタディスプレイ
• ソフトウェア
• インターフェースユニット
• デスクトップ型PC
• 取扱説明書

外形寸法

• 電源：AC100V  ±10V  50/60Hz  10A
• 本体：約W1850×Ｄ700×H1400mm
• 重量：約400Kg

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